| 1. |
Kret S.♦, Bilska M.♦, Ivaldi F.♦, Leszczyński M.♦, Czernecki R.♦, Dłużewski P., Jurczak G., Young T.D., Determination of the nanoscale structural properties of the InAlN based devices by advanced TEM methods,
E-MRS 2012 FALL MEETING, 2012-09-17/09-21, Warszawa (PL), pp.1, 2012 Słowa kluczowe:
III-V semiconductors, piezoelectricity, high resolution transmission electron microscopy, band edge structure Afiliacje autorów:
| Kret S. | - | Institute of Physics, Polish Academy of Sciences (PL) | | Bilska M. | - | inna afiliacja | | Ivaldi F. | - | inna afiliacja | | Leszczyński M. | - | inna afiliacja | | Czernecki R. | - | inna afiliacja | | Dłużewski P. | - | IPPT PAN | | Jurczak G. | - | IPPT PAN | | Young T.D. | - | IPPT PAN |
|  |
