prof. dr hab. inż. Paweł Dłużewski |
|
Doktorat
1985 | Zastosowanie teorii poślizgów do opisu procesów deformacji niesprężystych
|
1997 | Kontynualna teoria dyslokacji jako teoria konstytutywnego modelowania skończonych, sprężysto-plastycznych deformacji |
2009-12-30 | Nadanie tytułu naukowego profesora |
1. | 2006-06-29 | Jurczak Grzegorz | Anizotropia sprężysta kryształów. Analiza i modelowanie numeryczne metodą elementów skończonych. | |||
2. | 2006-01-26 | Traczykowski Piotr | Wykorzystanie statyki molekularnej do modelowania procesów deformacji kryształów półprzewodnikowych | |||
3. | 2003-03-06 | Maciejewski Grzegorz | Zastosowanie metody elementów skończonych do wyznaczania rozkładów naprężeń residualnych w heterostrukturach |
Ostatnie publikacje
1. |
Moneta J.♦, Staszczak G.♦, Grzanka E.♦, Tauzowski P., Dłużewski P., Smalc-Koziorowska J.♦, Formation of a-type dislocations near the InGaN/GaN interface during post-growth processing of epitaxial structures,
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, ISSN: 0021-8979, DOI: 10.1063/5.0128514, Vol.133, pp.045304-1-045304-12, 2023 Streszczenie: Słowa kluczowe:
| 100p. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2. |
Dłużewski P., Domagala J.Z.♦, Kret S.♦, Jarosz D.♦, Kryśko M.♦, Teisseyre H.♦, Phase-transition critical thickness of rocksalt MgxZn1−xO layers,
The Journal of Chemical Physics, ISSN: 0021-9606, DOI: 10.1063/5.0042415, Vol.154, pp.154701-1-8, 2021 Streszczenie:
| 100p. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
3. |
Łażewski J.♦, Jochym P.T.♦, Piekarz P.♦, Sternik M.♦, Parlinski K.♦, Cholewiński J.♦, Dłużewski P., Krukowski S.♦, DFT modelling of the edge dislocation in 4H-SiC,
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, ISSN: 0022-2461, DOI: 10.1007/s10853-019-03630-5, Vol.54, No.15, pp.10737-10745, 2019 Streszczenie:
| 100p. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
4. |
Jurczak G., Dłużewski P., Finite element modelling of threading dislocation effect on polar GaN/AlN quantum dot,
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, ISSN: 1386-9477, DOI: 10.1016/j.physe.2017.08.018, Vol.95, pp.11-15, 2018 Streszczenie: Słowa kluczowe:
| 25p. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
5. |
Domagała J.Z.♦, Morelhão S.L.♦, Sarzyński M.♦, Maździarz M., Dłużewski P., Leszczyński M.♦, Hybrid reciprocal lattice: application to layer stress determination in GaAlN/GaN(0001) systems with patterned substrates,
JOURNAL OF APPLIED CRYSTALLOGRAPHY, ISSN: 1600-5767, DOI: 10.1107/S1600576716004441, Vol.49, No.3, pp.798-805, 2016 Streszczenie: Słowa kluczowe:
| 40p. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
6. |
Jurczak G., Dłużewski P., Finite element modelling of nonlinear piezoelectricity in wurtzite GaN/AlN quantum dots,
COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, ISSN: 0927-0256, DOI: 10.1016/j.commatsci.2015.09.024, Vol.111, pp.197-202, 2016 Streszczenie: Słowa kluczowe:
| 30p. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
7. |
Young T.D., Jurczak G., Lotsari A.♦, Dimitrakopulos G.P.♦, Komninou Ph.♦, Dłużewski P., A study of the piezoelectric properties of semipolar 11(2)over-bar2 GaN/AlN quantum dots,
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, ISSN: 0370-1972, DOI: 10.1002/pssb.201552156, Vol.252, No.10, pp.2296-2303, 2015 Streszczenie: Słowa kluczowe:
| 20p. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
8. |
Cholewiński J.♦, Maździarz M., Jurczak G., Dłużewski P., Dislocation core reconstruction based on finite deformation approach and its application to 4H-SiC crystal,
INTERNATIONAL JOURNAL FOR MULTISCALE COMPUTATIONAL ENGINEERING, ISSN: 1543-1649, DOI: 10.1615/IntJMultCompEng.2014010679, Vol.12, No.5, pp.411-421, 2014 Streszczenie: Słowa kluczowe:
| 25p. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
9. | Dłużewski P., Cholewiński J.♦, Continuum and atomistic modelling of crystal defects, Annual Report - Polish Academy of Sciences, ISSN: 1640-3754, pp.80-82, 2013 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
10. |
Dimitrakopulos G.P.♦, Kalesaki E.♦, Kioseoglou J.♦, Kehagias T.♦, Lotsari A.♦, Lahourcade L.♦, Monroy E.♦, Häusler I.♦, Kirmse H.♦, Neumann W.♦, Jurczak G., Young T.D., Dłużewski P., Komninou Ph.♦, Karakostas T.♦, Morphology and strain of self-assembled semi-polar GaN quantum dots in (1112) AlN,
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, ISSN: 0021-8979, DOI: 10.1063/1.3506686, Vol.108, pp.104304-1-9, 2010 Streszczenie: Słowa kluczowe:
| 32p. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
11. |
Dłużewski P., Young T.D., Dimitrakopulos G.♦, Komninou Ph.♦, Continuum and atomistic modelling of the mixed straight dislocation,
INTERNATIONAL JOURNAL FOR MULTISCALE COMPUTATIONAL ENGINEERING, ISSN: 1543-1649, DOI: 10.1615/IntJMultCompEng.v8.i3.80, Vol.8, pp.331-342, 2010 Streszczenie: Słowa kluczowe:
| 27p. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
12. |
Maździarz M., Young T.D., Dłużewski P., Wejrzanowski T.♦, Kurzydłowski K.J.♦, Computer modelling of nanoindentation in the limits of a coupled molecular-statics and elastic scheme,
JOURNAL OF COMPUTATIONAL AND THEORETICAL NANOSCIENCE, ISSN: 1546-1955, DOI: 10.1166/jctn.2010.1469, Vol.7, pp.1-10, 2010 Streszczenie: Słowa kluczowe:
| 27p. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
13. |
Dłużewski P., Maździarz M., Traczykowski P.♦, Jurczak G., Niihara K.♦, Nowak R.♦, Kurzydłowski K.♦, A hybrid atomistic-continuum finite element modelling of nanoindentation and experimental verification for copper crystal,
COMPUTER ASSISTED METHODS IN ENGINEERING AND SCIENCE, ISSN: 2299-3649, Vol.15, pp.37-44, 2008 Streszczenie: Słowa kluczowe:
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
14. |
Kret S.♦, Dłużewski P., Szczepańska A.♦, Żak M.♦, Czernecki R.♦, Kryśko M.♦, Leszczyński M.♦, Maciejewski G., Homogenous indium distribution in InGaN/GaN laser active structure grown by LP-MOCVD on bulk GaN crystal revealed by transmission electron microscopy and X-ray diffraction,
NANOTECHNOLOGY, ISSN: 0957-4484, DOI: 10.1088/0957-4484/18/46/465707, Vol.18, No.46, pp.465707-0, 2007 Streszczenie:
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
15. |
Young T.D., Kioseoglou J.♦, Dimitrakopulos G.P.♦, Dłużewski P., Komninou Ph.♦, 3D modelling of misfit networks in the interface region of heterostructures,
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, ISSN: 0022-3727, DOI: 10.1088/0022-3727/40/13/027, Vol.40, pp.4084-4091, 2007 Streszczenie:
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
16. |
Dłużewski P., Nonlinear field theory of stress induced interdiffusion and mass transport,
DEFECT AND DIFFUSION FORUM, ISSN: 1662-9507, DOI: 10.4028/www.scientific.net/DDF.264.63, Vol.264, pp.63-70, 2007 Streszczenie: Słowa kluczowe:
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
17. |
Teisseyre H.♦, Suski T.♦, Łepkowski S.P.♦, Perlin P.♦, Jurczak G., Dłużewski P., Daudin B.♦, Grandjean N.♦, Strong electric field and nonuniformity effects in GaN/AlN quantum dots revealed by high pressure studies,
APPLIED PHYSICS LETTERS, ISSN: 0003-6951, DOI: 10.1063/1.2219381, Vol.89, No.5, pp.51902-1-3, 2006 Streszczenie: Słowa kluczowe:
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
18. |
Dłużewski P., Nonlinear field theory of stress induced diffusion in crystalline solids,
DEFECT AND DIFFUSION FORUM, ISSN: 1662-9507, DOI: 10.4028/www.scientific.net/DDF.237-240.107, Vol.237-240, pp.107-114, 2005 Słowa kluczowe:
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
19. |
Jurczak G., Maciejewski G., Kret S.♦, Dłużewski P., Ruterana P.♦, Modelling of indium rich clusters in MOCVD InxGa1−xN/GaN multilayers,
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, ISSN: 0925-8388, DOI: 10.1016/j.jallcom.2004.05.038, Vol.382, No.1-2, pp.10-16, 2004 Streszczenie: Słowa kluczowe:
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
20. |
Maciejewski G., Dłużewski P., Nonlinear finite element calculations of residual stresses in dislocated crystals,
COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, ISSN: 0927-0256, DOI: 10.1016/j.commatsci.2004.01.027, Vol.30, No.1-2, pp.44-49, 2004 Streszczenie:
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
21. |
Dłużewski P., Maciejewski G., Jurczak G., Kret S.♦, Laval J.-Y.♦, Nonlinear FE analysis of residual stresses induced by dislocations in heterostructures,
COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, ISSN: 0927-0256, DOI: 10.1016/j.commatsci.2003.10.012, Vol.29, No.3, pp.379-395, 2004 Streszczenie: Słowa kluczowe:
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
22. |
Ruterana P.♦, Singh P.♦, Kret S.♦, Jurczak G., Maciejewski G., Dłużewski P., Cho H.K.♦, Choi R.J.♦, Lee H.J.♦, Suh E.K.♦, Quantitative evolution of the atomic structure of defects and composition fluctuations at the nanometer scale inside InGaN/GaN heterostructures,
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, ISSN: 0370-1972, Vol.241, No.12, pp.2643-2648, 2004 Streszczenie: Słowa kluczowe:
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
23. |
Dłużewski P., Jurczak G., Antúnez H.J., Logarithmic strain measure in finite element modelling of anisotropic hyperelastic materials,
Computer Assisted Mechanics and Engineering Sciences, ISSN: 1232-308X, Vol.10, No.1, pp.69-79, 2003 Streszczenie: Słowa kluczowe:
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
24. |
Dłużewski P., Jurczak G., Maciejewski G., Kret S.♦, Ruterana P.♦, Nouet G.♦, Finite Element Simulation of Residual Stresses in Epitaxial Layers,
Materials Science Forum (MSF), ISSN: 1662-9752, DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.404-407.141, Vol.404-407, pp.141-146, 2002 Streszczenie: Słowa kluczowe:
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
25. |
Dłużewski P., Rodzik P., Elastic eigenstates in finite element modelling of large anisotropic elasticity,
COMPUTER METHODS IN APPLIED MECHANICS AND ENGINEERING, ISSN: 0045-7825, DOI: 10.1016/S0045-7825(97)00295-8, Vol.160, No.3-4, pp.325-335, 1998 Streszczenie:
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
26. |
Dłużewski P., On geometry and continuum thermodynamics of movement of structural defects,
MECHANICS OF MATERIALS, ISSN: 0167-6636, DOI: 10.1016/0167-6636(95)00020-8, Vol.22, No.1, pp.23-41, 1996 Streszczenie: Słowa kluczowe:
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
27. | Dłużewski P., Kontynualna teoria dyslokacji jako teoria konstytuwnego modelowania skończonych sprężysto-plastycznych deformacji (Praca habilitacyjna), Prace IPPT - IFTR Reports, ISSN: 2299-3657, No.13, pp.1-112, 1996 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
28. |
Dłużewski P., Finite deformations of polar elastic media,
INTERNATIONAL JOURNAL OF SOLIDS AND STRUCTURES, ISSN: 0020-7683, DOI: 10.1016/0020-7683(93)90087-N, Vol.30, No.16, pp.2277-2285, 1993 Streszczenie:
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
29. |
Dłużewski P., Continuum Theory of Dislocations in Angular Coordinates,
Solid State Phenomena, ISSN: 1662-9779, DOI: 10.4028/www.scientific.net/SSP.35-36.539, Vol.35-36, pp.539-544, 1993 Streszczenie: Słowa kluczowe:
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
30. |
Dłużewski P., Crystal orientation spaces and remarks on the modelling of polycrystal anisotropy,
JOURNAL OF THE MECHANICS AND PHYSICS OF SOLIDS, ISSN: 0022-5096, DOI: 10.1016/0022-5096(91)90045-P, Vol.39, No.5, pp.651-661, 1991 Streszczenie:
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
31. | Dłużewski P., Zastosowanie teorii poślizgów do opisu procesów deformacji niesprężystych (Praca doktorska), Prace IPPT - IFTR Reports, ISSN: 2299-3657, No.37, pp.1-91, 1985 |
Lista rozdziałów w ostatnich monografiach
1. |
Jurczak G., Maździarz M., Dłużewski P., Nanomechanics: Selected problems, rozdział: Atomistic-continuum modelling of coupled fields and defects in semiconductor crystals, Wydawnictwo Politechniki Krakowskiej, Muc A., Chwał M., Garstecki A., Szefer G. (Eds.), pp.77-98, 2015 | |
2. |
Dłużewski P., Young T.D., Dimitakopulos G.♦, Kioseoglou J.♦, Komninou Ph.♦, Computer Methods in Mechanics, Advanced Structured Materials, rozdział: Nonlinear finite element and atomistic modelling of dislocations in heterostructures, Springer Verlag, Kuczma M., Wilmański K. (Eds.), 1/III, pp.239-253, 2010 |
Prace konferencyjne
1. |
Jurczak G., Maździarz M., Dłużewski P., Dimitrakopulos G.P.♦, Komninou Ph.♦, Karakostas T.♦, On the applicability of elastic model to very thin crystalline layers,
JOURNAL OF PHYSICS: CONFERENCE SERIES, ISSN: 1742-6588, DOI: 10.1088/1742-6596/1190/1/012017, No.1190, pp.012017-1-5, 2019 Streszczenie: Słowa kluczowe:
| 40p. | |||||||||||||||||||||||||||
2. |
Jurczak G., Young T.D., Dłużewski P., A quantum dot nucleated on the edge of a threading dislocation: elastic and electric field effects,
PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, ISSN: 1610-1642, DOI: 10.1002/pssc.201200551, Vol.10, pp.97-100, 2013 Streszczenie: Słowa kluczowe:
| 10p. | |||||||||||||||||||||||||||
3. |
Maździarz M., Nalepka K.T., Dłużewski P., Cholewiński J.♦, Reconstruction of dislocations in interface layer Cu-Al2O3,
MMM2010, 5th International Conference Multiscale Materials Modeling, 2010-10-04/10-08, Freiburg (GE), pp.482-485, 2010 Streszczenie:
| ||||||||||||||||||||||||||||
4. |
Dłużewski P., Belkadi A., Chen J.♦, Ruterana P.♦, Nouet G.♦, FE simulation of InGaN QD formation at the edge of threading dislocation in GaN,
IWN 2006, International Workshop on Nitride Semiconductors, 2006-10-22/0-27, Kyoto (JP), DOI: 10.1002/pssc.200674870, Vol.7, pp.2403-2406, 2007 Streszczenie:
| ||||||||||||||||||||||||||||
5. |
Dłużewski P., Young T.D., Jurczak G., Majewski J.A.♦, Nonlinear piezoelectric properties of GaN quantum dots nucleated at the edge of threading dislocations,
IWN 2006, International Workshop on Nitride Semiconductors, 2006-10-22/0-27, Kyoto (JP), DOI: 10.1002/pssc.200674866, Vol.4, pp.2399-2402, 2007 Streszczenie: Słowa kluczowe:
| ||||||||||||||||||||||||||||
6. | Postek E., Hardy S.J.♦, Dłużewski P., Stress analysis of a quantum dot region using an elastic anisotropic model, Plasticity 2006, 12th International Symposium on Plasticity and Its Current Applications, 2006-07-17/07-22, Halifax (CA), pp.304-306, 2006 | ||||||||||||||||||||||||||||
7. |
Ruterana P.♦, Singh P.♦, Kret S.♦, Cho H.K.♦, Lee H.J.♦, Suh E.K.♦, Jurczak G., Maciejewski G., Dłużewski P., Size and shape of In rich clusters and InGaN QWs at the nanometer scale,
IWN 2004, International Workshop on Nitrides Semiconductors, 2004-06-19/06-23, Pittsburgh (US), DOI: 10.1002/pssc.200461463, Vol.2, No.7, pp.2381-2384, 2005 Streszczenie:
| ||||||||||||||||||||||||||||
8. |
Jurczak G., Łepkowski S.P.♦, Dłużewski P., Suski T.♦, Modeling of elastic, piezoelectric and optical properties of vertically correlated GaN/AlN quantum dots,
E-MRS 2004, Symposium on Science and Technology of Nitrides and Related Materials/Wide Band Gap II-VI Semiconductors, E-MRS 2004 FALL MEETING SYMPOSIA C AND F, 2004-08-06/08-10, Warszawa (PL), DOI: 10.1002/pssc.200460604, Vol.2, No.3, pp.972-975, 2005 Streszczenie: Słowa kluczowe:
|
Abstrakty konferencyjne
1. |
Jurczak G., Dłużewski P., Effect of Threading Dislocations on Semi- and Nonpolar GaN/AlN Quantum Dots,
SolMech 2024, 43rd Solid Mechanics Conference, 2024-09-16/09-18, Wrocław (PL), pp.179, 2024 Streszczenie: Słowa kluczowe:
| |||||||||||||||||||||||||
2. |
Dłużewski P., Jarosik P., Reconstruction of atomistic models of dislocation networks, based on lattice distortion tensor fields algebra,
The 5-th Polish Congress of Mechanics and the 25-th International of Computer Methods in Mechanics, 2023-09-03/09-07, Gliwice (PL), pp.1, 2023 Słowa kluczowe:
| |||||||||||||||||||||||||
3. | Dłużewski P., Critical thickness and phase transition in thin layers grown on crystalline substrates, NOMATEN 2023, NOMATEN Workshop: Advanced materials for nuclear and other applications under extreme conditions, 2023-08-08/08-09, Otwock (PL), pp.1, 2023 | |||||||||||||||||||||||||
4. | Dłużewski P., Preprocessing of atomistic models of dislocations based on finite deformation approach, 7th International Conference on Material Modelling, 2022-11-29/12-01, Cape Town (ZA), pp.1, 2022 | |||||||||||||||||||||||||
5. | Dłużewski P., CRITICAL THICKNESS EVOLUTUTION DURING THE SUBSEQUENT EPITAXIAL LAYERS GROWTH, CMM-SolMech 2022, 24th International Conference on Computer Methods in Mechanics; 42nd Solid Mechanics Conference, 2022-09-05/09-08, Świnoujście (PL), No.225, pp.1-1, 2022 | |||||||||||||||||||||||||
6. |
Dłużewski P., Domagała J.♦, Kret S.♦, Jarosz D.♦, Teisseyre H.♦, Critical thickness and misfit dislocations in rocksalt ZnMgO layers grown on MgO (100),
ICMM6, 6th International Conference on Material Modelling, 2019-06-26/06-28, Lund (SE), pp.1-1, 2019 Streszczenie:
| |||||||||||||||||||||||||
7. |
Jurczak G., Dłużewski P., The effect of finite strain measure change on second-order piezoelectricity,
EUROMAT 2019, European Congress and Exhibition on Advanced Materials and Processes 2019, 2019-09-01/09-05, Stockholm (SE), pp.1, 2019 Streszczenie: Słowa kluczowe:
| |||||||||||||||||||||||||
8. | Dłużewski P., Computational aspects of chemo-elastic problems and Vegard's law, SolMech 2018, 41st SOLID MECHANICS CONFERENCE, 2018-08-27/08-31, Warszawa (PL), pp.182-183, 2018 | |||||||||||||||||||||||||
9. |
Jurczak G., Maździarz M., Dłużewski P., Dimitrakopulos G.♦, Komninou Ph.♦, Karakostas T.♦, On the Applicability of the Theory of Elasticity to Very Thin Layers,
EDS2018, 19th International Conference on Extended Defects in Semiconductors, 2018-06-24/06-29, Thessaloniki (GR), pp.1, 2018 Streszczenie: Słowa kluczowe:
| |||||||||||||||||||||||||
10. | Dłużewski P., Wierzbicki R., Tauzowski P., Kret S.♦, Kaleta A.♦, Sadowski J.♦, 3D strain field and STEM contrast modeling of core shell nanowirers containing magnetic nanoprecipitations, EUROMAT 2017, European Congress and Exhibition on Advanced Materials and Processes, 2017-09-17/09-22, Thessaloniki (GR), pp.1, 2017 | |||||||||||||||||||||||||
11. | Dłużewski P., Tensor form of Vegards law for crystals of low symmetry, ICMM5, 5th International Conference on Material Modeling, 2017-06-14/06-16, Rome (IT), pp.1, 2017 | |||||||||||||||||||||||||
12. |
Jurczak G., Maździarz M., Dłużewski P., Finite element modelling of threading dislocation effect on GaN/AlN quantum dot,
ICMM5, 5th International Conference on Material Modeling, 2017-06-14/06-16, Rome (IT), pp.1-1, 2017 Słowa kluczowe:
| |||||||||||||||||||||||||
13. |
Dłużewski P., Maździarz M., Tauzowski P., Constitutive and FE modeling of Residual Stresses and Kirkendall Effect in Semiconductor Structures,
4th International Conference on Material Modeling, 2015-05-27/05-29, Berkeley (US), pp.79-80, 2015 Streszczenie: Słowa kluczowe:
| |||||||||||||||||||||||||
14. |
Dłużewski P., Tauzowski P., The FE modelling of residual stresses and void formation observed during the growth of semiconductor layers,
PCM-CMM 2015, 3rd Polish Congress of Mechanics and 21st Computer Methods in Mechanics, 2015-09-08/09-11, Gdańsk (PL), pp.553-554, 2015 Streszczenie: Słowa kluczowe:
| |||||||||||||||||||||||||
15. |
Dłużewski P., Maździarz M., Tauzowski P., Third-order elastic coefficients and logarithmic strain in finite element modelling of anisotropic elasticity,
SolMech 2014, 39th Solid Mechanics Conference, 2014-09-01/09-05, Zakopane (PL), pp.35-36, 2014 Streszczenie: Słowa kluczowe:
| |||||||||||||||||||||||||
16. |
Jurczak G., Maździarz M., Dłużewski P., Effect of threading dislocation on elastic and electric properties of semipolar GaN/AlN quantum dot,
ICMM3, 3rd International Conference on Material Modelling incorporating 13th European Mechanics of Materials Conference, 2013-09-08/09-11, Warszawa (PL), pp.186-187, 2013 Słowa kluczowe:
| |||||||||||||||||||||||||
17. |
Jurczak G., Young T.D., Dłużewski P., Dimitrakopulos G.P.♦, Elastic and electric properties of a semi-polar (1122) GaN/AlN quantum dots,
ICMM3, 3rd International Conference on Material Modelling incorporating 13th European Mechanics of Materials Conference, 2013-09-08/09-11, Warszawa (PL), pp.243-244, 2013 Słowa kluczowe:
| |||||||||||||||||||||||||
18. | Young T.D., Teisseyre H.♦, Dłużewski P., Kahouli A.♦, Kriouche N.♦, Brault J.♦, Damilano B.♦, Leroux M.♦, Courville A.♦, de Mierry P.♦, GaN/AlGaN (11-22) semipolar nanostructures: Observations by theory and experiment, 41st International School and Conference on the Physics of Semiconductors, 2012-06-08/06-15, Krynica-Zdrój (PL), pp.1, 2012 | |||||||||||||||||||||||||
19. | Young T.D., Teisseyre H.♦, Brault J.♦, Kahouli A.♦, Vennegues P.♦, Leroux M.♦, Courville A.♦, de Mierry P.♦, Damilano B.♦, Dłużewski P., Optoelectronic properties of a GaN quantum dot grown on a Al0.5Ga0.5N (1122)-orientated surface, IWN 2012, International Workshop on Nitride Semiconductors, 2012-10-14/10-19, Sapporo (JP), pp.1-2, 2012 | |||||||||||||||||||||||||
20. |
Kret S.♦, Bilska M.♦, Ivaldi F.♦, Leszczyński M.♦, Czernecki R.♦, Dłużewski P., Jurczak G., Young T.D., Determination of the nanoscale structural properties of the InAlN based devices by advanced TEM methods,
E-MRS 2012 FALL MEETING, 2012-09-17/09-21, Warszawa (PL), pp.1, 2012 Słowa kluczowe:
| |||||||||||||||||||||||||
21. |
Jurczak G., Young T.D., Dłużewski P., Elastic and Electric Field Effects of a Quantum Dot Nucleated on the Edge of a Threading Dislocation,
EDS 2012, International Conference on Extended Defects in Semiconductors, 2012-06-24/06-29, Thessaloniki (GR), pp.103, 2012 Słowa kluczowe:
| |||||||||||||||||||||||||
22. |
Young T.D., Jurczak G., Dłużewski P., Wpływ defektów struktury krystalicznej na elektromechaniczne własności nanostruktur,
III National Conference of Nano and Micromechanics, 2012-07-04/07-06, Warszawa (PL), pp.125-127, 2012 Słowa kluczowe:
| |||||||||||||||||||||||||
23. |
Dłużewski P., Cholewiński J.♦, Maździarz M., Tauzowski P., Nalepka K.T., Atomistic/continuum reconstruction of misfit dislocations and stacking faults in Cu/sapphire interfacial region,
CMM 2011, 19th International Conference on Computer Methods in Mechanics, 2011-05-09/05-12, Warszawa (PL), pp.257-1-2, 2011 Streszczenie: Słowa kluczowe:
|